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MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.

  • MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Numero di modello MT4117M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M4
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM-DDR2 Capacità di memoria 256Mbit
Organizzazione di memoria 16M x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 267 megahertz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access 500 ps Voltaggio - Fornitura 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 84-FBGA Confezione del dispositivo del fornitore 84-FBGA (8x14)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA
MT47H16M16BG-3:B TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H16M16BG-37V:B IC DRAM 256MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16CC-37E IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16CC-37E IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16CC-37E L:B IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16CC-37E L:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16CC-3E:B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16CC-3E:B TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16CC-5E IT:B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16CC-5E IT:B TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16CC-5E L:B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16CC-5E L:B TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H16M16BG-3E:B IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H16M16BG-5E:B IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H16M16BG-5E:B TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16CC-37E:B IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16CC-37E:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16CC-3:B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16CC-5E:B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16CC-5E:B TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16CC-3:B TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16BN-3:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H16M16BG-3 IT:B TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16BN-37E:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16BN-25E:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16BN-25:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16BN-5E IT:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16BN-37E IT:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16BN-3 IT:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16BN-25E IT:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16BN-5E:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 banchi
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 banche
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 banchi

Caratteristiche

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• I/O 1,8V secondo lo standard JEDEC (SSTL_18-compatibile)
• opzione di strobo differenziale (DQS, DQS#)
• Architettura prefetch a 4n bit
• Opzione di doppia uscita stroboscopica (RDQS) per x8
• DLL per allineare le transizioni DQ e DQS con CK
• 8 banche interne per il funzionamento simultaneo
• latenza CAS programmabile (CL)
• La latenza dell'additivo CAS (AL) pubblicata
• TENTAZIONE di scrittura = TENTAZIONE di lettura - 1 tCK
• lunghezze di scatto selezionabili (BL): 4 o 8
• Potenza regolabile dell'azionamento di uscita dati
• 64ms, 8192 cicli di aggiornamento
• Terminazione a tempo determinato (ODT)
• Opzione di temperatura industriale (IT)
• Opzione temperatura automotive (AT)
• Conformità RoHS
• Supporta la specifica JEDEC clock jitter

Specificità

AttributoValore attributivo
ProduttoreMicron Technology Inc.
Categoria di prodottoIC di memoria
Serie-
Imballaggio
Cassa del pacchetto84-FBGA
Temperatura di funzionamento0°C ~ 85°C (TC)
InterfacciaParallelamente
Fornitore di tensione10,7 V ~ 1,9 V
Confezione del dispositivo del fornitore84-FBGA (8x14)
Capacità di memoria256M (16M x 16)
Tipo di memoriaDDR2 SDRAM
Velocità3.75ns
Format-memoriaRAM

Descrizioni

SDRAM - Memoria DDR2 IC 256Mb (16M x 16) parallelo 267MHz 500ps 84-FBGA (8x14)
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI