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5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP Renesas Electronics America Inc.
| Marca | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| Numero di modello | 5962-3829407MXA |
| Quantità di ordine minimo | 1 |
| Prezzo | Based on current price |
| Imballaggi particolari | sacchetto antistatico e scatola di cartone |
| Tempi di consegna | 3-5 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento | T/T |
| Capacità di alimentazione | In magazzino |
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xDettagli
| Tipo di memoria | Volatile | Formato di memoria | SRAM |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | SRAM - Asincrono | Capacità di memoria | 64Kbit |
| Organizzazione di memoria | 8K x 8 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
| Frequenza di clock | - | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | - |
| Tempo di Access | - | Voltaggio - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 125°C (TA) | Tipo di montaggio | Attraverso il buco |
| Confezione / Cassa | 28-CDIP (0,600", 15.24mm) | Confezione del dispositivo del fornitore | 28-CDIP |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 5962-3829407MXA | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 5962-8855202XA | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L70DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L45DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S55DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S100DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S35DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S55DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S70DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S85DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L100DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L35DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L45DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L55DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L85DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 5962-8855204XA | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L100DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L25DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L35DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L55DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S100DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S70DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S85DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256L85DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S25DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S35DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 71256S45DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L20DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164L25DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S20DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S25DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
| 7164S45DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
Descrizione
L'AT28C010 è una memoria elettricamente cancellabile e programmabile a sola lettura ad alte prestazioni.Prodotto con la tecnologia CMOS non volatile avanzata di Atmel, il dispositivo offre tempi di accesso fino a 120 ns con dissipazione di potenza di soli 440 mW. Quando il dispositivo è disattivato, la corrente di standby CMOS è inferiore a 300 μA.
Caratteristiche
• Tempo di accesso veloce - 120 ns• Operazione di scrittura automatica delle pagine
¢ Indirizzi interni e blocchi dati per 128 byte
¢ Timer di controllo interno
• Tempo di scrittura veloce
Tempo di ciclo di scrittura della pagina - 10 ms massimo
Operazione di scrittura da 1 a 128 byte
• Basso consumo di energia
Corrente attiva di 80 mA
– 300 µA CMOS Standby Current
• Protezione dei dati hardware e software
• Sondaggio dei DATI per il rilevamento della fine di scrittura
• Tecnologia CMOS ad alta affidabilità
Durazione: 104 o 105 cicli
¢ Conservazione dei dati: 10 anni
• Alimentazione singola 5V ± 10%
• Input e output compatibili CMOS e TTL
• JEDEC approvato byte-wide Pinout
Specificità
| Attributo | Valore attributivo |
|---|---|
| Produttore | Sistemi di circuiti integrati |
| Categoria di prodotto | IC di memoria |
| Serie | 5962-38294 |
| Tipo | Asincrono |
| Imballaggio | Tubo |
| Stile di montaggio | Attraverso il buco |
| Cassa del pacchetto | 2-CDIP (0,600", 15,24 mm) |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Interfaccia | Parallelamente |
| Fornitore di tensione | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Confezione del dispositivo del fornitore | 28-CDIP |
| Capacità di memoria | 64K (8K x 8) |
| Tipo di memoria | SRAM - Asincrono |
| Velocità | - |
| Tempo di accesso | 70 ns |
| Format-memoria | RAM |
| Temperatura massima di funzionamento | + 125 C |
| Intervallo di temperatura di funzionamento | - 55 C |
| Tipo di interfaccia | Parallelamente |
| Organizzazione | 8 k x 8 |
| Parte-#-Alias | 5962-38294 5962-3829407MXA |
| tensione di alimentazione massima | 5.5 V |
| tensione di alimentazione-min | 4.5 V |
| Cassa del pacchetto | CDIP-28 |
Componente funzionale compatibile
Forma, confezione, componente funzionale compatibile
| Parte del fabbricante | Descrizione | Produttore | Confronta |
| AS6C6264A-70PIN Memoria |
SRAM standard, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0,600 INCH, conforme alla normativa ROHS, in plastica, DIP-28 | Alliance Memory Inc. | 5962-3829407MXA contro AS6C6264A-70PIN |
| FT6264L-70DWMLF Memoria |
SRAM standard, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0,600 INCH, conforme alla normativa ROHS, ceramica, DIP-28 | Force Technologies Ltd. | 5962-3829407MXA contro FT6264L-70DWMLF |
| V62C51864L-70P Memoria |
SRAM standard, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0,600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | Mosel Vitelic Corporation | 5962-3829407MXA contro V62C51864L-70P |
| 5962-3829407MXA Memoria |
SRAM standard, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 | Motorola Semiconductor Products | 5962-3829407MXA contro 5962-3829407MXA |
| AS6C6264A-70PCN Memoria |
SRAM standard, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0,600 INCH, conforme alla normativa ROHS, in plastica, DIP-28 | Alliance Memory Inc. | 5962-3829407MXA contro AS6C6264A-70PCN |
| FT6264L-70DWMBLF Memoria |
SRAM standard, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0,600 INCH, conforme alla normativa ROHS, ceramica, DIP-28 | Force Technologies Ltd. | 5962-3829407MXA contro FT6264L-70DWMBLF |
| IMS1630LS-70M Memoria |
8KX8 STANDARD SRAM, 70ns, CDIP28, BRAZED laterale, ceramica, DIP-28 | STMicroelettronica | 5962-3829407MXA contro IMS1630LS-70M |
Descrizioni
SRAM - Memoria asincrona IC 64Kb (8K x 8) parallela 28-CerDip
SRAM 64K 8K x 8 SRAM asincrono
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