IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Caratteristiche

● Tensione standard: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Bassa tensione (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compattibile con 1.5V
● Trasferimento di dati ad alta velocità con frequenza fino a 1066 MHz
● 8 banche interne per il funzionamento simultaneo
● Architettura 8n-Bit pre-fetch
● Latenza CAS programmabile
● Programmabile latenza additiva: 0, CL-1, CL-2
● Programmabile CAS WRITE latency (CWL) basato su tCK
● Lunghezza di scatto programmabile: 4 e 8
● Sequenza di esplosioni programmabile: sequenziale o interlacciata
● Accendi il tasto BL al volo
● Auto-Rifrescamento (ASR)
● TEMPERATURA di rinfrescamento automatico (SRT)
● Intervallo di aggiornamento:
7.8 us (8192 cicli/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 cicli/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
● Array parziale
● Pin RESET asincrono
● Supporto TDQS (Termination Data Strobe) (solo x8)
● OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
● ODT dinamico (terminazione immediata)
● Forza del driver: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● Scrivere Livellamento
● Fino a 200 MHz in modalità spenta DLL
● Temperatura di funzionamento:
Commerciale (TC = 0°C a +95°C)
Industria (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A2 (TC = -40°C a +105°C)