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MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLELO 44SO Micron Technology Inc.

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xDettagli
Tipo di memoria | Non volatile | Formato di memoria | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnologia | FLASH - NÉ | Capacità di memoria | 4Mbit |
Organizzazione di memoria | 512K x 8, 256K x 16 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
Frequenza di clock | - | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 80ns |
Tempo di Access | 80 NS | Voltaggio - Fornitura | 3V ~ 3,6V |
Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Confezione / Cassa | 44-SOIC (0,496", 12,60 mm di larghezza) | Confezione del dispositivo del fornitore | 44-SO |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT28F400B3SG-8 B | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B3SG-8 B TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B3SG-8 BET | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B3SG-8 BET TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B3SG-8 T | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B3SG-8 T TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B3SG-8 TET | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B3SG-8 TET TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B5SG-8 B | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B5SG-8 B TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B5SG-8 BET | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B5SG-8 BET TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B5SG-8 T | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B5SG-8 T TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B5SG-8 TET | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B5SG-8 TET TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B5SP-8 T | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F400B5SP-8 T TR | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B3SG-9 B | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B3SG-9 B TR | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B3SG-9 BET | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B3SG-9 BET TR | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B3SG-9 T | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B3SG-9 T TR | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B3SG-9 TET | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B3SG-9 TET TR | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B5SG-8 B | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B5SG-8 B TR | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B5SG-8 BET | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B5SG-8 BET TR | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B5SG-8 T | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B5SG-8 T TR | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B5SG-8 TET | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO | |
MT28F800B5SG-8 TET TR | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
Descrizione generale
MT28F004B3 (x8) e MT28F400B3 (x16/x8) sono dispositivi di memoria programmabili non volatili, elettricamente cancellabili (flash), contenenti 4,194,304 bit organizzati in 262.144 parole (16 bit) o 524.288 byte (8 bit). La scrittura o la cancellazione del dispositivo viene eseguita con una tensione 3.3V o 5V VPP, mentre tutte le operazioni vengono eseguite con una 3.3V VCCA causa dei progressi della tecnologia di processo, il 5V VPP è ottimale per la programmazione delle applicazioni e della produzione.I sistemi MT28F004B3 e MT28F400B3 sono organizzati in sette blocchi cancellabili separatamente.i dispositivi dispongono di un blocco di avvio protetto da hardware. Scrivere o cancellare il blocco di avvio richiede l'applicazione di una super tensione al pin RP# o l'esecuzione di WP# HIGH oltre all'esecuzione delle normali sequenze di scrittura o cancellazione.Questo blocco può essere utilizzato per memorizzare il codice implementato nel recupero del sistema a basso livelloI blocchi rimanenti variano in densità e vengono scritti e cancellati senza ulteriori misure di sicurezza.
Caratteristiche
• Sette blocchi di cancellazione:Blocco di avvio di 16KB/8K-word (protetto)
Due blocchi di parametri di 8KB/4K di parole
Quattro blocchi di memoria principali
• Tecnologia Smart 3 (B3):
3.3V ±0.3V VCC
3.3V ±0.3V programmazione delle applicazioni VPP
5V ± 10% VPP applicazione/programmazione di produzione1
• Compatibile con dispositivi Smart 3 da 0,3 μm
• Processo CMOS a porta galleggiante avanzato da 0,18 μm
• Tempo di accesso all'indirizzo: 80ns
• 100.000 cicli di cancellazione
• Pinouts standard del settore
• Input e output sono pienamente compatibili con TTL
• Algoritmo automatizzato di scrittura e cancellazione
• Sequenza WRITE/ERASE a due cicli
• LEGGERE e scrivere in byte o parola
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• Leggere e scrivere solo per byte
(MT28F004B3, 512K x 8)
• Opzioni di imballaggio TSOP e SOP
Specificità
Attributo | Valore attributivo |
---|---|
Produttore | Micron Technology Inc. |
Categoria di prodotto | IC di memoria |
Serie | - |
Imballaggio | Altri prodotti |
Cassa del pacchetto | 44-SOIC (0,496", 12,60 mm di larghezza) |
Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Interfaccia | Parallelamente |
Fornitore di tensione | 3 V ~ 3,6 V |
Confezione del dispositivo del fornitore | 44-SOP |
Capacità di memoria | 4M (512K x 8, 256K x 16) |
Tipo di memoria | Flash - né |
Velocità | 80 ns |
Format-memoria | Flash |
Descrizioni
Flash - NOR Memoria IC 4Mb (512K x 8, 256K x 16) parallelo 80ns 44-SOP
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