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MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
| Marca | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Numero di modello | MT411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M411M41 |
| Quantità di ordine minimo | 1 |
| Prezzo | Based on current price |
| Imballaggi particolari | sacchetto antistatico e scatola di cartone |
| Tempi di consegna | 3-5 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento | T/T |
| Capacità di alimentazione | In magazzino |
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xDettagli
| Tipo di memoria | Volatile | Formato di memoria | DRAM |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | SDRAM - LPDDR mobile | Capacità di memoria | 512Mbit |
| Organizzazione di memoria | 16M x 32 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
| Frequenza di clock | 166 MHz | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 15ns |
| Tempo di Access | 5 NS | Voltaggio - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
| Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Confezione / Cassa | 90-VFBGA | Confezione del dispositivo del fornitore | 90 VFBGA (10x13) |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT46H16M32LFCM-6 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-75 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
DDR SDRAM mobile a bassa potenza
Caratteristiche
• VDD/VDDQ = 1,701,95V• Strobo bidirezionale di dati per byte di dati (DQS)
• Architettura interna a doppia velocità di dati (DDR); due accessi ai dati per ciclo di orologeria
• Input di orologio differenziale (CK e CK#)
• Comandi inseriti su ogni bordo positivo CK
• DQS allineato a bordo con i dati per le READ; centro allineato con i dati per le WRITE
• 4 banche interne per il funzionamento simultaneo
• Maschere di dati (DM) per mascherare i dati di scrittura; una maschera per byte
• lunghezze di scatto programmabili (BL): 2, 4, 8 o 16
• L'opzione di precarica automatica è supportata
• Modi di aggiornamento automatico e auto aggiornamento
• ingressi compatibili con LVCMOS da 1,8 V
• Autorefrescamento compensato dalla temperatura (TCSR)
• Autorefrescamento in serie parziale (PASR)
• Disattivazione completa (DPD)
• Registro di lettura dello stato (SRR)
• Forza di azionamento di uscita selezionabile (DS)
• Capacità di arresto dell'orologio
• 64ms di aggiornamento, 32ms per la temperatura dell'auto
Specificità
| Attributo | Valore attributivo |
|---|---|
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Categoria di prodotto | IC di memoria |
| Serie | - |
| Imballaggio | |
| Cassa del pacchetto | 90 VFBGA |
| Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interfaccia | Parallelamente |
| Fornitore di tensione | 10,7 V ~ 1,95 V |
| Confezione del dispositivo del fornitore | 90 VFBGA (10x13) |
| Capacità di memoria | 512M (16M x 32) |
| Tipo di memoria | SDRAM LPDDR mobile |
| Velocità | 166 MHz |
| Format-memoria | RAM |
Descrizioni
SDRAM - Memoria LPDDR mobile IC 512Mb (16M x 32) parallela a 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (10x13)
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