CY14B101PA-SFXI CI NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC Infineon Technologies

Marca Infineon Technologies
Numero di modello CY14B101PA-SFXI
Quantità di ordine minimo 1
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Dettagli
Tipo di memoria Non volatile Formato di memoria NVSRAM
Tecnologia NVSRAM (SRAM non volatile) Capacità di memoria 1 MB
Organizzazione di memoria 128K x 8 Interfaccia di memoria SPI
Frequenza di clock 40 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access - Voltaggio - Fornitura 2.7V ~ 3.6V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 16-SOIC (0,295", 7,50 mm di larghezza) Confezione del dispositivo del fornitore 16-SOIC
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Part Number Description
CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14B101PA-SFXIT IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14B064I-SFXI IC NVSRAM 64KBIT I2C 16SOIC
CY14B101Q3-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14V101QS-SE108XI IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SE108XQ IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SF108XQ IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SF108XI IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14B064PA-SFXIT IC NVSRAM 64KBIT SPI 16SOIC
CY14B064PA-SFXI IC NVSRAM 64KBIT SPI 16SOIC
CY14B101P-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14B256PA-SFXI IC NVSRAM 256KBIT SPI 16SOIC
CY14B101I-SFXI IC NVSRAM 1MBIT I2C 16SOIC
CY14B064I-SFXIT IC NVSRAM 64KBIT I2C 16SOIC
CY14B256I-SFXI IC NVSRAM 256KBIT I2C 16SOIC
CY14B256I-SFXIT IC NVSRAM 256KBIT I2C 16SOIC
CY14B256PA-SFXIT IC NVSRAM 256KBIT SPI 16SOIC
CY14B101I-SFXIT IC NVSRAM 1MBIT I2C 16SOIC
CY14V101Q3-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 30MHZ 16SOIC
CY14V101Q3-SFXIT IC NVSRAM 1MBIT SPI 30MHZ 16SOIC
CY14V101PS-SF108XI IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101PS-SF108XIT IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SE108XIT IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SE108XQT IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SF108XIT IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14V101QS-SF108XQT IC NVSRAM 1MBIT SPI 16SOIC
CY14B256PA-SFXI IC NVSRAM 256KBIT SPI 16SOIC
CY14B064I-SFXI IC NVSRAM 64KBIT I2C 16SOIC
CY14B256I-SFXIT IC NVSRAM 256KBIT I2C 16SOIC
CY14B512PA-SFXI IC NVSRAM 512KBIT SPI 16SOIC
CY14B101Q3-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14B101I-SFXI IC NVSRAM 1MBIT I2C 16SOIC
CY14B101P-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14B101P-SFXIT IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC
CY14B512PA-SFXI IC NVSRAM 512KBIT SPI 16SOIC
CY14B512I-SFXI IC NVSRAM 512KBIT I2C 16SOIC
CY14B512I-SFXIT IC NVSRAM 512KBIT I2C 16SOIC
CY14B512PA-SFXIT IC NVSRAM 512KBIT SPI 16SOIC
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Visualizzazione

Il Cypress CY14X101PA combina una nvSRAM da 1 Mbit[1] con un RTC completo in un circuito integrato monolitico con interfaccia SPI seriale.Gli elementi non volatili incorporati incorporano la tecnologia QuantumTrapLa memoria SRAM fornisce cicli di lettura e scrittura infiniti, mentre le celle QuantumTrap forniscono un'archiviazione non volatile altamente affidabile dei dati.Il trasferimento dei dati dalla SRAM agli elementi non volatili (operazione STORE) avviene automaticamente in caso di spegnimento.. Quando si accende, i dati vengono ripristinati nella SRAM dalla memoria non volatile (operazione RECALL).

Caratteristiche

■ Memoria a accesso casuale statica non volatile da 1 Mbit (nvSRAM)
¢ organizzato internamente come 128 K × 8
STORE to QuantumTrap elementi non volatili avviati automaticamente al spegnimento (AutoStore) o utilizzando l'istruzione SPI (Software STORE) o HSB pin (Hardware STORE)

¢ STOORE automatico a spegnimento con un piccolo condensatore
■ Alta affidabilità
¢ Cicli di lettura, scrittura e RECALL infiniti
1 milione di cicli STORE a QuantumTrap
Ritenuta dei dati: 20 anni a 85 °C
■ Orologio in tempo reale (RTC)
¢ RTC completo
¢ Timer da cane da guardia
¢ allarme con interruttore programmabile
Indicazione del guasto di alimentazione di riserva
L'invio di onde quadrate con frequenza programmabile (1 Hz, 512 Hz, 4096 Hz, 32.768 kHz)
¢ Capacitore o batteria di riserva per RTC
️ Corrente di riserva di 0,45 μA (tipico)
■ 40 MHz e 104 MHz Interfaccia periferica seriale ad alta velocità
¢ frequenza di clock di 40 MHz SPI scrivere e leggere con ritardo di ciclo zero

Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
■ l'accesso di SPI a funzioni speciali
¢ immagazzinamento non volatile/richiamo
Numero di serie di 8 byte
Identificazione del fabbricante e del prodotto
¢ modalità di riposo
■ Protezione da scrittura
Protezione dell'hardware con pin di protezione da scrittura (WP)
Protezione del software utilizzando l'istruzione Write Disable
Protezione dei blocchi software per 1/4, 1/2 o per l'intero array
■ basso consumo energetico
️ Corrente attiva media di 3 mA al funzionamento a 40 MHz
️ Corrente media in modalità standby di 250 μA
Corrente in modalità di riposo di 8 μA
■ Configurazioni standard del settore
Voltaggi di funzionamento:
• CY14C101PA: VCC = da 2,4 V a 2,6 V
• CY14B101PA: VCC = da 2,7 V a 3,6 V
• CY14E101PA: VCC = da 4,5 V a 5,5 V
Temperatura industriale
¢ pacchetto di circuiti integrati a contorno piccolo (SOIC) a 16 pin
¢ Limitazione delle sostanze pericolose (RoHS)

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Cypress Semiconductor Corp
Categoria di prodotto Resonatori
Mfr Cypress Semiconductor Corp
Serie -
Pacco Tubo
Status del prodotto Attivo
Tipo di memoria Non volatili
Formato di memoria NVSRAM
Tecnologia NVSRAM (non volatile)
Dimensione della memoria 1 MB (128K x 8)
Interfaccia di memoria SPI
Frequenza di orologeria 40 MHz
Scrivere-ciclo-tempo-parola-pagina -
Fornitore di tensione 2,7 V ~ 3,6 V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Cassa del pacchetto 16-SOIC (0,295" 7,50 mm di larghezza)
Confezione del dispositivo del fornitore 16-SOIC
Numero del prodotto di base CY14B101

Componente funzionale compatibile

Forma, confezione, componente funzionale compatibile

Parte del fabbricante Descrizione Produttore Confronta
CY14C101Q3A-SF104XI
Memoria
SRAM non volatile, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, conforme alla normativa ROHS, MO-119, SOIC-16 Semiconduttore di cipresso CY14B101PA-SFXI contro CY14C101Q3A-SF104XI
CY14B101PA-SF104XIT
Memoria
SRAM non volatile, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, conforme alla normativa ROHS, MO-119, SOIC-16 Semiconduttore di cipresso CY14B101PA-SFXI contro CY14B101PA-SF104XIT
CY14B101Q3-SFXI
Memoria
SRAM non volatile, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, conforme alla normativa ROHS, MO-119, SOIC-16 Semiconduttore di cipresso CY14B101PA-SFXI contro CY14B101Q3-SFXI
CY14B101Q3-SFXIT
Memoria
SRAM non volatile, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, conforme alla normativa ROHS, MO-119, SOIC-16 Semiconduttore di cipresso CY14B101PA-SFXI contro CY14B101Q3-SFXIT
CY14B101PA-SFXIT
Memoria
SRAM non volatile, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16 Semiconduttore di cipresso CY14B101PA-SFXI contro CY14B101PA-SFXIT
CY14B101P-SFXI
Memoria
SRAM non volatile, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, conforme alla normativa ROHS, MO-119, SOIC-16 Semiconduttore di cipresso CY14B101PA-SFXI contro CY14B101P-SFXI
CY14B101PA-SF104XI
Memoria
SRAM non volatile, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, conforme alla normativa ROHS, MO-119, SOIC-16 Semiconduttore di cipresso CY14B101PA-SFXI contro CY14B101PA-SF104XI
CY14B101P-SFXIT
Memoria
SRAM non volatile, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, conforme alla normativa ROHS, MO-119, SOIC-16 Semiconduttore di cipresso CY14B101PA-SFXI contro CY14B101P-SFXIT
CY14B101I-SFXI
Memoria
SRAM non volatile, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, conforme alla normativa ROHS, MO-119, SOIC-16 Semiconduttore di cipresso CY14B101PA-SFXI contro CY14B101I-SFXI
CY14B101I-SFXIT
Memoria
SRAM non volatile, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0,300 INCH, conforme alla normativa ROHS, MO-119, SOIC-16 Semiconduttore di cipresso CY14B101PA-SFXI contro CY14B101I-SFXIT

Descrizioni

NVSRAM (non volatile SRAM) Memoria IC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 16-SOIC
NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3.3V 16-Pin SOIC Tube
NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM