IS61NLP25618A-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Numero di modello IS61NLP25618A-200B3LI-TR
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria SRAM
Tecnologia SRAM - Sincrono, DSR Capacità di memoria 4.5Mbit
Organizzazione di memoria 256K x 18 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 200 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access 3.1 ns Voltaggio - Fornitura 3.135V ~ 3.465V
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 165-TBGA Confezione del dispositivo del fornitore 165-PBGA (13x15)
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Part Number Description
IS61NLP25618A-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61NLP25618A-200B3LI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3LI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3LI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-200B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-200B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPS51236A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPS51236A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61NLP25618A-200B3I IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61NLP25618A-200B3I-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-200B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-250B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-200B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-200B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-200B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-250B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-200B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-200B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-250B3I-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-250B3-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-200B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD102418A-250B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-200B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPD51236A-250B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-200B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-200B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD102418A-250B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-200B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-200B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-250B3 IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61VPD51236A-250B3I IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA
IS61LPS12836A-200B3I IC SRAM 4MBIT PARALLEL 165PBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione

La famiglia di prodotti 4 Meg NLP/NVP dispone di RAM statiche sincrone ad alta velocità e a bassa potenza progettate per fornire uno stato di attesa, di elevate prestazioni e di alta velocità.dispositivo per applicazioni di rete e di comunicazioneSono organizzati in 128K parole da 32 bit, 128K parole da 36 bit e 256K parole da 18 bit, fabbricati con la tecnologia CMOS avanzata ISSI.

Caratteristiche

• utilizzo del 100 per cento degli autobus
• Nessun ciclo di attesa tra lettura e scrittura
• Ciclo interno di scrittura auto-timed
• Controllo di scrittura dei singoli byte
• Pin di controllo R/W (lettura/scrittura) singolo
• Controllo orario, indirizzo registrato, dati e controllo
• Controllo della sequenza di scoppio interlacciato o lineare utilizzando l'input MODE
• Tre chip consentono una semplice espansione di profondità e di indirizzare le condotte
• Modalità di spegnimento
• Input e output di dati comuni
• Pin CKE per attivare l'orologio e sospendere il funzionamento
• JEDEC 100 pin TQFP, 165 sfere PBGA e 119 sfere PBGA pacchetti
• alimentazione elettrica:
NVP: Vdd 2,5V (± 5%), Vddq 2,5V (± 5%)
NLP: Vdd 3.3V (± 5%), Vddq 3.3V/2.5V (± 5%)
• Temperatura industriale disponibile
• Disponibile senza piombo

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore ISSI
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie IS61NLP25618A
Tipo Sincrono
Imballaggio Imballaggio alternativo a nastro e bobina (TR)
Stile di montaggio SMD/SMT
Cassa del pacchetto 165-TFBGA
Temperatura di funzionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 3.135 V ~ 3.465 V
Confezione del dispositivo del fornitore 165-BGA (13x15)
Capacità di memoria 4.5M (256K x 18)
Tipo di memoria SRAM - sincrono
Velocità 200 MHz
Tasso di dati DSP
Tempo di accesso 3.1 ns
Format-memoria RAM
Temperatura massima di funzionamento + 85 C
Intervallo di temperatura di funzionamento - 40 C.
Tipo di interfaccia Parallelamente
Organizzazione 256 k x 18
Fornitura-corrente-massimo 210 mA
tensione di alimentazione massima 3.465 V
tensione di alimentazione-min 3.135 V
Cassa del pacchetto BGA-165
Frequenza massima dell'orologio 200 MHz

Descrizioni

SRAM - Memoria sincrona IC 4.5Mb (256K x 18) parallela 200MHz 3.1ns 165-BGA (13x15)
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 4M-Bit 256K x 18 3.1ns 165-Pin BGA T/R
SRAM 4M (256Kx18) 200MHz Sincronizzazione SRAM 3.3v