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IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
Marca | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
---|---|
Numero di modello | IS43LR16200D-6BL-TR |
Quantità di ordine minimo | 1 |
Prezzo | Based on current price |
Imballaggi particolari | sacchetto antistatico e scatola di cartone |
Tempi di consegna | 3-5 giorni lavorativi |
Termini di pagamento | T/T |
Capacità di alimentazione | In magazzino |

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xDettagli
Tipo di memoria | Volatile | Formato di memoria | DRAM |
---|---|---|---|
Tecnologia | SDRAM - LPDDR mobile | Capacità di memoria | 32Mbit |
Organizzazione di memoria | 2M x 16 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
Frequenza di clock | 166 MHz | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 15ns |
Tempo di Access | 5,5 NS | Voltaggio - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Confezione / Cassa | 60-TFBGA | Confezione del dispositivo del fornitore | 60-TFBGA (8x10) |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43LR16200D-6BL-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16200D-6BL | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16200D-6BLI-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16200D-6BLI | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16400C-6BLI-TR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16400C-6BLI | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16800G-6BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16800G-6BLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16800G-6BL | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16800G-6BLI | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160G-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160G-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160G-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320C-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160G-6BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320C-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320C-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320C-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320C-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320C-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320C-6BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320C-6BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320B-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16800F-6BLI | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160F-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160F-6BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160F-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16160F-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16200C-6BL | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16200C-6BLI | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16200C-6BLI-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16200C-6BL-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16320B-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320B-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16320B-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16400B-6BLI | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16400B-6BLI-TR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
IS43LR16800F-6BL | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16800F-6BLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS43LR16800F-6BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320B-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320B-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320B-6BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
IS46LR16320B-6BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
Caratteristiche
• Tensione standard: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V• Basse tensioni (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compattibile con 1.5V
• velocità di trasferimento dei dati ad alta velocità con frequenza di sistema fino a 933 MHz
• 8 banche interne per il funzionamento simultaneo
• Architettura 8n-Bit pre-fetch
• Latenza CAS programmabile
• Programmabile latenza additiva: 0, CL-1, CL-2
• Programmabile CAS WRITE latency (CWL) basato su tCK
• Lunghezza di scatto programmabile: 4 e 8
• Sequenza di scatto programmabile: sequenziale o interleave
• Interruttore BL in volo
• Autorefrescamento automatico (ASR)
• TEMPERATURA di rinfresco automatico (SRT)
• Intervallo di aggiornamento:
7.8 us (8192 cicli/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 cicli/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Ristrutturazione parziale
• Pin di riattivazione asincrono
• supporto TDQS (Termination Data Strobe) (solo x8)
• OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
• ODT dinamico (terminazione immediata)
• Forza del driver: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Scrivere il livellamento
• Fino a 200 MHz in modalità spenta DLL
• Temperatura di funzionamento:
Commerciale (TC = 0°C a +95°C)
Industria (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A2 (TC = -40°C a +105°C)
Specificità
Attributo | Valore attributivo |
---|---|
Produttore | ISSI |
Categoria di prodotto | IC di memoria |
Serie | - |
Imballaggio | Imballaggio alternativo a nastro e bobina (TR) |
Cassa del pacchetto | 60-TFBGA |
Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Interfaccia | Parallelamente |
Fornitore di tensione | 10,7 V ~ 1,95 V |
Confezione del dispositivo del fornitore | 60-TFBGA (8x10) |
Capacità di memoria | 32M (2M x 16) |
Tipo di memoria | SDRAM DDR mobile |
Velocità | 166 MHz |
Format-memoria | RAM |
Descrizioni
SDRAM - Memoria LPDDR mobile IC 32 Mb (2M x 16) parallelo 166MHz 5,5ns 60-TFBGA (8x10)
DRAM Chip DDR SDRAM 32Mbit 2Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
DRAM 32M, 1.8V, M-DDR 2Mx16, 166Mhz, RoHS
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