IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.

Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Numero di modello IS43LR16200D-6BL-TR
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - LPDDR mobile Capacità di memoria 32Mbit
Organizzazione di memoria 2M x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 166 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access 5,5 NS Voltaggio - Fornitura 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 60-TFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 60-TFBGA (8x10)
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Part Number Description
IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BL IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BLI-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BLI IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400C-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400C-6BLI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16800G-6BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BL IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BLI IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BLI IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16200C-6BL IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BLI IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BLI-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16320B-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16400B-6BLI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400B-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16800F-6BL IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Caratteristiche

• Tensione standard: VDD e VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Basse tensioni (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V
- Compattibile con 1.5V
• velocità di trasferimento dei dati ad alta velocità con frequenza di sistema fino a 933 MHz
• 8 banche interne per il funzionamento simultaneo
• Architettura 8n-Bit pre-fetch
• Latenza CAS programmabile
• Programmabile latenza additiva: 0, CL-1, CL-2
• Programmabile CAS WRITE latency (CWL) basato su tCK
• Lunghezza di scatto programmabile: 4 e 8
• Sequenza di scatto programmabile: sequenziale o interleave
• Interruttore BL in volo
• Autorefrescamento automatico (ASR)
• TEMPERATURA di rinfresco automatico (SRT)
• Intervallo di aggiornamento:
7.8 us (8192 cicli/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
3.9 us (8192 cicli/32 ms) Tc= 85°C a 105°C
• Ristrutturazione parziale
• Pin di riattivazione asincrono
• supporto TDQS (Termination Data Strobe) (solo x8)
• OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)
• ODT dinamico (terminazione immediata)
• Forza del driver: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Scrivere il livellamento
• Fino a 200 MHz in modalità spenta DLL
• Temperatura di funzionamento:
Commerciale (TC = 0°C a +95°C)
Industria (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A1 (TC = -40°C a +95°C)
Automotive, A2 (TC = -40°C a +105°C)

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore ISSI
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio Imballaggio alternativo a nastro e bobina (TR)
Cassa del pacchetto 60-TFBGA
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 10,7 V ~ 1,95 V
Confezione del dispositivo del fornitore 60-TFBGA (8x10)
Capacità di memoria 32M (2M x 16)
Tipo di memoria SDRAM DDR mobile
Velocità 166 MHz
Format-memoria RAM

Descrizioni

SDRAM - Memoria LPDDR mobile IC 32 Mb (2M x 16) parallelo 166MHz 5,5ns 60-TFBGA (8x10)
DRAM Chip DDR SDRAM 32Mbit 2Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
DRAM 32M, 1.8V, M-DDR 2Mx16, 166Mhz, RoHS