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MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1,2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

  • MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Numero di modello MT40A1G4RH-083E: B
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR4 Capacità di memoria 4Gbit
Organizzazione di memoria 1G x 4 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 1,2 gigahertz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina -
Tempo di Access - Voltaggio - Fornitura 1.14V ~ 1.26V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 78-TFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 78-FBGA (9x10.5)
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Part Number Description
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-107 IT:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione

Questi soppressori di tensione transiente da 1500 watt offrono funzionalità di gestione della potenza che si trovano solo nei pacchetti più grandi.Sono più spesso utilizzati per proteggere da transienti da ambienti di commutazione induttiva o effetti di fulmine secondari indotti come quelli riscontrati nei livelli di sovraccarico più bassi di IEC61000-4-5Con tempi di risposta molto rapidi, sono efficaci anche nella protezione da ESD o EFT.Le caratteristiche del pacchetto Powermite® includono un fondo completamente metallico che elimina la possibilità di intrappolamento del flusso di saldatura durante l'assemblaggioForniscono anche una scheda di blocco unica che agisce come un dissipatore di calore integrale.l'induttanza parassitaria è ridotta al minimo per ridurre gli eccessi di tensione durante i transitori di velocità.

Caratteristiche

• Confezione per il montaggio superficiale a profilo molto basso (1,1 mm)
• Dispositivi integrati per il blocco dei dissipatori di calore
• Compatibile con apparecchiature di inserimento automatico
• Il fondo completamente in metallo elimina il blocco del flusso
• Intervallo di tensione da 5 a 170 volt
• Disponibile sia unidirezionale che bidirezionale (sufisso C per bidirezionale)

Classificazioni massime

• Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C
• Temperatura di conservazione: da - 55°C a + 150°C
• Potenza di impulso di picco di 1500 Watt (10 / 1000 μsec)
• Corrente di sovraccarico in avanti: 200 Ampere a 8,3 ms (escluso bidirezionale)
• Tasso di aumento della ripetizione (fattore d'imposta): 0,01%
• Resistenza termica: giunzione a 2,5°C/watt a tab 130°C/watt a ambiente con impronta raccomandata
• Temperatura di piombo e di montaggio: 260°C per 10 secondi

Applicazioni/benefici

• Protezione temporanea da fulmini secondari
• Protezione transitorica a commutazione induttiva
• Piccola impronta
• Induttanza parassitaria molto bassa per un minimo sovraccarico di tensione
• Conforme alle norme IEC61000-4-2 e IEC61000-4-4 rispettivamente per la protezione ESD ed EFT e IEC61000-4-5 per i livelli di sovratensione definiti nel presente documento

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Micron Technology Inc.
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio Scaffale
Cassa del pacchetto 78-TFBGA
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 95°C (TC)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 1.14 V ~ 1.26 V
Confezione del dispositivo del fornitore 78-FBGA (9x10.5)
Capacità di memoria 4G (1G x 4)
Tipo di memoria DDR4 SDRAM
Velocità 18 ns
Format-memoria RAM

Descrizioni

SDRAM - DDR4 Memoria IC 4Gb (1G x 4) parallela a 1,2GHz 78-FBGA (9x10.5)
Chip DRAM DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78 pin FBGA
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI