Tutti i prodotti
Persona di contatto : Zhao
Numero di telefono : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLELA 60FBGA Micron Technology Inc.

  • MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
Marca Micron Technology Inc.
Numero di modello MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
Imballaggi particolari sacchetto antistatico e scatola di cartone
Tempi di consegna 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento T/T
Capacità di alimentazione In magazzino

Contattimi gratis campioni e buoni.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Se avete di preoccupazione, forniamo la guida in linea di 24 ore.

x
Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM-DDR2 Capacità di memoria 512Mbit
Organizzazione di memoria 128M x 4 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 400 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access 400 ps Voltaggio - Fornitura 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 60-TFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 60-FBGA (8x10)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-187E:H IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 L:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E L:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M4CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H256M4CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47R256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-187E:M TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Lasciate un messaggio
Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 banchi
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 banche
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 banchi

Caratteristiche

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• I/O 1,8V secondo lo standard JEDEC (SSTL_18-compatibile)
• opzione di strobo differenziale (DQS, DQS#)
• Architettura prefetch a 4n bit
• Opzione di doppia uscita stroboscopica (RDQS) per x8
• DLL per allineare le transizioni DQ e DQS con CK
• 8 banche interne per il funzionamento simultaneo
• latenza CAS programmabile (CL)
• La latenza dell'additivo CAS (AL) pubblicata
• TENTAZIONE di scrittura = TENTAZIONE di lettura - 1 tCK
• lunghezze di scatto selezionabili (BL): 4 o 8
• Potenza regolabile dell'azionamento di uscita dati
• 64ms, 8192 cicli di aggiornamento
• Terminazione a tempo determinato (ODT)
• Opzione di temperatura industriale (IT)
• Opzione temperatura automotive (AT)
• Conformità RoHS
• Supporta la specifica JEDEC clock jitter

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Micron Technology Inc.
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio Scaffale
Cassa del pacchetto 60-TFBGA
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 85°C (TC)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 10,7 V ~ 1,9 V
Confezione del dispositivo del fornitore 60-FBGA (8x10)
Capacità di memoria 512M (128Mx4)
Tipo di memoria DDR2 SDRAM
Velocità 2.5ns
Format-memoria RAM

Descrizioni

SDRAM - Memoria DDR2 IC 512Mb (128M x 4) parallelo 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
Chip DRAM DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60-Pin FBGA
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI