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W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLELA 84WBGA Winbond Electronics

  • W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA Winbond Electronics
Marca Winbond Electronics
Numero di modello W9725G6KB-25 TR
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Dettagli
Tipo di memoria Volatile Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM-DDR2 Capacità di memoria 256Mbit
Organizzazione di memoria 16M x 16 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock 400 MHz Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 15ns
Tempo di Access 400 ps Voltaggio - Fornitura 1.7V ~ 1.9V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa 84-TFBGA Confezione del dispositivo del fornitore 84-WBGA (8x12.5)
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-25 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W9725G6KB-25 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-25 IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W972GG6KB-25 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-18 IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W971GG6NB25I IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W9712G6KB-25 TR IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9712G6KB-25 IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9712G6KB25I TR IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9712G6KB25I IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA
W9725G6KB-18 TR IC DRAM 256MBIT PAR 84WBGA
W9725G6KB25I TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W9725G6KB-18 IC DRAM 256MBIT PAR 84WBGA
W9725G6KB25I IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6NB-18 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W971GG6NB25I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA
W972GG6KB-25 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG6KB-18 TR IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA
W972GG6KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA
W972GG6KB25I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG6KB25I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W9725G6IB-25 IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6IB-25 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-25 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W9725G6JB25I IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB-18 IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6KB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18 IC DRAM 512MBIT PAR 84WBGA
W9751G6KB25I IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB-18 IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6SB-25 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB-18 TR IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6KB-25 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6KB25I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB-18 TR IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA
W971GG6SB25I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-18 TR IC DRAM 512MBIT PAR 84WBGA
W9751G6KB25I TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG8KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA
W972GG8KB25I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W972GG8KB-25 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA
W9751G6KB-25 TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA
W971GG6SB-25 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA
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Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione generale

Il W9725G6JB è una DDR2 SDRAM a 256 Mbit, organizzata in 4,194,304 parole x 4 banche x 16 bit. Questo dispositivo raggiunge velocità di trasferimento elevate fino a 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) per varie applicazioni.,25I, 25A, 25K e -3. Le parti di grado -18 sono conformi alle specifiche DDR2-1066 (7-7-7).Le parti di grado -25/25I/25A/25K sono conformi alle specifiche DDR2-800 (5-5-5) o DDR2-800 (6-6-6) (le parti di grado industriale 25I che sono garantite per supportare -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)Le parti di grado -3 sono conformi alle specifiche DDR2-667 (5-5-5).

Caratteristiche

• alimentazione elettrica: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• Architettura a doppio tasso di trasmissione: due trasferimenti di dati per ciclo di orologeria
• CAS latency: 3, 4, 5, 6 e 7
• Lunghezza di scatto: 4 e 8
• Sono trasmessi/ricevuti con i dati stroboscopici bidirezionali e differenziali (DQS e DQS)
• allineato sul bordo con i dati di lettura e allineato al centro con i dati di scrittura
• DLL allinea le transizioni DQ e DQS con l'orologio
• Input di orologeria differenziale (CLK e CLK)
• Maschere di dati (DM) per la scrittura dei dati
• I comandi inseriti su ciascun bordo positivo CLK, dati e maschera di dati sono riferiti a entrambi i bordi di DQS
• La latenza additiva programmabile CAS pubblicata supportata per rendere l'efficienza del bus di comando e dati
• Lettura di latenza = latenza aggiuntiva più latenza CAS (RL = AL + CL)
• regolazione dell'impedenza off-chip-driver (OCD) e on-die-termination (ODT) per una migliore qualità del segnale
• Funzione di prericarica automatica per le scatti di lettura e scrittura
• modalità di aggiornamento automatico e autoaggiornamento
• Disattivazione di carica e disattivazione attiva
• Scrivere la maschera dei dati
• Scrivere latenza = leggere latenza - 1 (WL = RL - 1)
• Interfaccia: SSTL_18
• confezionato in WBGA 84 Ball (8X12.5 mm2), utilizzando materiali privi di piombo e conformi alla RoHS

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Winbond Electronics
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie -
Imballaggio Imballaggio alternativo a nastro e bobina (TR)
Cassa del pacchetto 84-TFBGA
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 85°C (TC)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 10,7 V ~ 1,9 V
Confezione del dispositivo del fornitore 84-WBGA (8x12.5)
Capacità di memoria 256M (16M x 16)
Tipo di memoria DDR2 SDRAM
Velocità 2.5ns
Format-memoria RAM

Descrizioni

Memoria IC 84-WBGA (8x12.5)
Chip DRAM DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA
Etichette:

Memoria flash stabile IC

Memoria flash IC non volatile

Memoria flash IC di SPI