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DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLELA 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrato
| Marca | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| Numero di modello | DS1225AD-200+ |
| Quantità di ordine minimo | 1 |
| Prezzo | Based on current price |
| Imballaggi particolari | sacchetto antistatico e scatola di cartone |
| Tempi di consegna | 3-5 giorni lavorativi |
| Termini di pagamento | T/T |
| Capacità di alimentazione | In magazzino |
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xDettagli
| Tipo di memoria | Non volatile | Formato di memoria | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| Tecnologia | NVSRAM (SRAM non volatile) | Capacità di memoria | 64Kbit |
| Organizzazione di memoria | 8K x 8 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
| Frequenza di clock | - | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | 200ns |
| Tempo di Access | 200 NS | Voltaggio - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo di montaggio | Attraverso il buco |
| Confezione / Cassa | Modulo 28-DIP (0,600", 15,24 mm) | Confezione del dispositivo del fornitore | 28-EDIP |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS1225AD-200+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-70+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-70IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-150+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-120+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AD-150+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230AB-100+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-120+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-70IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-85+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-85+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-70+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-150IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-200+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-70IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-200+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-170+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230AB-200+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-120IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230W-150+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-150+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-85+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AD-150IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-100+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-150+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230AB-70+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AD-200IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-70IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230W-100+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-200IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-70+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-200IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-170+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230AB-85+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230W-100IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-120IND+ | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-150 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-200 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-200 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-120 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-100 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-120 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-70 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-70 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-200IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-85 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-85 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-150 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-150 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-200 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-200 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-70IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-150IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-200IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-150IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230Y-100 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230W-150 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-150 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-85 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230W-100 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-85 | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-120IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-120IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-200IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230Y-200IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1230AB-70IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225AB-70 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AB-70IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-70 | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225AD-70IND | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1230W-100IND | IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | |
| DS1225Y-200+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225Y-150+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225Y-150IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP | |
| DS1225Y-200IND+ | IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
Descrizione
I DS1225AB e DS1225AD sono SRAM completamente statici e non volatili da 65.536 bit organizzati in 8192 parole per 8 bit.Ogni NV SRAM ha una fonte di energia al litio autonoma e un circuito di controllo che monitora costantemente la VCC per una condizione fuori tolleranza..
Caratteristiche
10 anni di conservazione minima dei dati in assenza di alimentazione esternaI dati vengono automaticamente protetti in caso di perdita di corrente
Sostituisce direttamente la RAM statica volatile 8k x 8 o EEPROM
Cicli di scrittura illimitati
CMOS a bassa potenza
pacchetto DIP standard JEDEC a 28 pin
Tempo di lettura e scrittura fino a 70 ns
La fonte di energia al litio è disconnessa elettricamente per mantenere la freschezza fino a quando non viene applicata l'energia per la prima volta
VCCintervallo di funzionamento completo ± 10% (DS1225AD)
L'intervallo di funzionamento VCC opzionale ± 5% (DS1225AB)
Intervallo di temperatura industriale facoltativo da -40°C a +85°C, denominato IND
Specificità
| Attributo | Valore attributivo |
|---|---|
| Produttore | Maxim integrato |
| Categoria di prodotto | IC di memoria |
| Serie | DS1225AD |
| Imballaggio | Tubo |
| Stile di montaggio | Attraverso il buco |
| Cassa del pacchetto | Modulo 28-DIP (0,600", 15,24 mm) |
| Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Interfaccia | Parallelamente |
| Fornitore di tensione | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Confezione del dispositivo del fornitore | 28-EDIP |
| Capacità di memoria | 64K (8K x 8) |
| Tipo di memoria | NVSRAM (non volatile) |
| Velocità | 200 ns |
| Tempo di accesso | 200 ns |
| Format-memoria | RAM |
| Temperatura massima di funzionamento | + 70 C |
| Intervallo di temperatura di funzionamento | 0 C |
| Corrente di approvvigionamento di esercizio | 75 mA |
| Tipo di interfaccia | Parallelamente |
| Organizzazione | 8 k x 8 |
| Parte-#-Alias | 90-1225A+D00 DS1225AD |
| Ampiezza del bus dati | 8 bit |
| tensione di alimentazione massima | 5.5 V |
| tensione di alimentazione-min | 4.5 V |
| Cassa del pacchetto | EDIP-28 |
Componente funzionale compatibile
Forma, confezione, componente funzionale compatibile
| Parte del fabbricante | Descrizione | Produttore | Confronta |
| DS1225Y-200+ Memoria |
Modulo SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, conforme ROHS, DIP-28 | Prodotti integrati Maxim | DS1225AD-200+ contro DS1225Y-200+ |
| DS1225AB-200IND Memoria |
8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 | Rochester Electronics LLC | DS1225AD-200+ contro DS1225AB-200IND |
| DS1225Y-200 Memoria |
Modulo SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-28 | Prodotti integrati Maxim | DS1225AD-200+ contro DS1225Y-200 |
| DS1225AD-200 Memoria |
Modulo SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0,720 INCH, esteso, DIP-28 | Dallas Semiconductor | DS1225AD-200+ contro DS1225AD-200 |
| DS1225AB-200IND+ Memoria |
Modulo SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, conforme ROHS, DIP-28 | Prodotti integrati Maxim | DS1225AD-200+ contro DS1225AB-200IND+ |
| BQ4010MA-200 Memoria |
8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, DMA28, DIP-28 | Texas Instruments | DS1225AD-200+ contro BQ4010MA-200 |
| BQ4010YMA-200 Memoria |
8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDIP28 | Texas Instruments | DS1225AD-200+ contro BQ4010YMA-200 |
| DS1225AB-200 Memoria |
8KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28 | Rochester Electronics LLC | DS1225AD-200+ contro DS1225AB-200 |
| DS1225AB-200+ Memoria |
Modulo SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, conforme ROHS, DIP-28 | Prodotti integrati Maxim | DS1225AD-200+ contro DS1225AB-200+ |
| DS1225AD-200IND+ Memoria |
Modulo SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, conforme ROHS, DIP-28 | Prodotti integrati Maxim | DS1225AD-200+ contro DS1225AD-200IND+ |
Descrizioni
NVSRAM (non volatile SRAM) Memoria IC 64Kb (8K x 8) parallela 200ns 28-EDIP
NVRAM 64k SRAM non volatile
Prodotti raccomandati
