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MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128 GBIT PAR 100 LBGA Micron Technology Inc.
Marca | Micron Technology Inc. |
---|---|
Numero di modello | MT2202M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2 |
Quantità di ordine minimo | 1 |
Prezzo | Based on current price |
Imballaggi particolari | sacchetto antistatico e scatola di cartone |
Tempi di consegna | 3-5 giorni lavorativi |
Termini di pagamento | T/T |
Capacità di alimentazione | In magazzino |

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xDettagli
Tipo di memoria | Non volatile | Formato di memoria | FLASH |
---|---|---|---|
Tecnologia | FLASH - NAND | Capacità di memoria | 128 Gbit |
Organizzazione di memoria | 16G x 8 | Interfaccia di memoria | Parallelamente |
Frequenza di clock | 83 megahertz | Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina | - |
Tempo di Access | - | Voltaggio - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) | Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Confezione / Cassa | 100-LBGA | Confezione del dispositivo del fornitore | 100 LBGA (12x18) |
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MTFC8GLWDQ-3M AIT A | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A | IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA | |
MTFC4GLMDQ-AIT A | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MT29F128G08AUCBBH3-12:B | IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B | IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F256G08AUCABH3-10:A | IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F256G08AUCABH3-10IT:A | IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-12:A | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MTFC32GJGDQ-AIT TR | IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MTFC32GJGDQ-AIT | IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA | |
MT29F256G08AUCABH3-10Z:A | IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F256G08AUCABH3-10Z:A TR | IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-10R:A | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-10R:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MTFC4GLDDQ-4M IT TR | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLDDQ-4M IT TR | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC16GJDDQ-4M IT | IC FLASH 128GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC32GJDDQ-4M IT | IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GLDDQ-4M IT | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLDDQ-4M IT | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-10:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-10:A | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A TR | IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F128G08AUCBBH3-12:B TR | IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B TR | IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR | IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA | |
MT29F256G08AUCABH3-10IT:A TR | IC FLASH 256GBIT PAR 100LBGA | |
MTFC16GJGDQ-AIT Z TR | IC FLASH 128GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR | IC FLASH 128GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC32GJGDQ-AIT Z TR | IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC32GJWDQ-4L AIT Z TR | IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GACAEDQ-K1 AIT TR | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLGDQ-AIT Z TR | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLWDQ-3L AIT Z TR | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC16GAKAEDQ-AAT TR | IC MEMORY 64G 100LBGA | |
MTFC4GLMDQ-AIT Z | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GMWDQ-AIT | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GACAEDQ-AAT | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC32GAKAEDQ-AAT | IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC64GAJAEDQ-AIT | IC FLASH 512GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC64GAJAEDQ-AAT | IC FLASH 512GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC32GAKAEDQ-AAT TR | IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GLMDQ-AIT Z TR | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GMWDQ-AIT TR | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC64GAJAEDQ-AAT TR | IC FLASH 512GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC64GAJAEDQ-AIT TR | IC FLASH 512GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC16GAKAEDQ-AAT | IC FLASH 128GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC16GJGDQ-AIT Z | IC FLASH 128GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC16GLWDQ-4M AIT Z | IC FLASH 128GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC32GJGDQ-AIT Z | IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC32GJWDQ-4L AIT Z | IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GMWDQ-3M AIT | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GACAEDQ-K1 AIT | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLGDQ-AIT Z | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLWDQ-3L AIT Z | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLWDQ-3M AIT Z | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC16GAKAEDQ-AIT | IC FLASH 128GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLWDQ-3L AAT Z TR | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLWDQ-3L AAT Z | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC32GJWDQ-4M AIT Z | IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC32GJWDQ-4M AIT Z TR | IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GMWDQ-3M AIT TR | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GLGDQ-AIT Z TR | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLWDQ-3L AITI Z | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GLGDQ-AIT A | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GMWDQ-3M AIT A | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GMWDQ-AIT A | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLWDQ-3L AAT A | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLWDQ-3L AIT A | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC32GAKAEDQ-AIT TR | IC FLASH 256GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GLGDQ-AIT Z | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLWDQ-3L AIT A TR | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLWDQ-3M AIT A TR | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC8GLWDQ-3L AAT A TR | IC FLASH 64GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GLMDQ-AIT A TR | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA | |
MTFC4GLGDQ-AIT A TR | IC FLASH 32GBIT MMC 100LBGA |
Descrizione di prodotto
Dettagli del prodotto
Descrizione generale
I dispositivi Micron NAND Flash includono un'interfaccia dati asincrona per operazioni di I/O ad alte prestazioni.Ci sono cinque segnali di controllo utilizzati per implementare l'interfaccia dati asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# e RE#. Segnali aggiuntivi di controllo di protezione da scrittura hardware (WP#) e monitor dello stato del dispositivo (R/B#).
Caratteristiche
• Open NAND Flash Interface (ONFI) compatibile con il 2.2• Tecnologia delle celle a più livelli (MLC)
• Organizzazione
Dimensione della pagina x8: 8640 byte (8192 + 448 byte)
Dimensione del blocco: 256 pagine (2048K + 112K byte)
Dimensione dell'aereo: 2 piani x 2048 blocchi per piano
¢ Dimensione del dispositivo: 64 GB: 4096 blocchi;
128 GB: 8192 blocchi;
256 GB: 16.384 blocchi;
512Gb: 32.786 blocchi
• prestazioni di I/O sincrone
¢ fino a modalità di sincronizzazione 5
Rate di orologeria: 10ns (DDR)
¢ Trasmissione di lettura/scrittura per pin: 200 MT/s
• prestazioni di I/O asincrone
¢ fino a 5 modalità di sincronizzazione asincrona
️
tRC/tWC: 20ns (MIN)
• Performance dell'array
¢ lettura della pagina: 50 μs (MAX)
Pagina del programma: 1300 μs (TYP)
Blocco di cancellazione: 3 ms (TYP)
• Intervallo di tensione di funzionamento
- VCC: 2,7 - 3,6 V
VCCQ: 1,7V, 1,9V, 3,6V.
• Set di comandi: ONFI NAND Flash Protocol
• Set di comando avanzato
¢ Cache del programma
️ Leggere la cache sequenziale
Leggere la cache casuale
¢ modalità programmabile una tantum (OTP)
Comandi multipiano
¢ operazioni multi-LUN
¢ Leggere l'ID univoco
️ Copiaback
• Il primo blocco (indirizzo di blocco 00h) è valido al momento della spedizione
Per l'ECC minimo richiesto, cfr.
Gestione degli errori (pagina 109).
• RESET (FFh) richiesto come primo comando dopo l'alimentazione
su
• L' byte di stato di funzionamento fornisce un metodo software per
rilevamento
¢ completamento dell'operazione
Condizione di passaggio/fallimento
¢ stato protetto da scrittura
• I segnali DQS forniscono un metodo hardware
per la sincronizzazione dei dati DQ nel sistema sincrono
interfaccia
• Supporto per le operazioni di copia sul piano
da cui vengono letti i dati
• Qualità e affidabilità
Ritenzione dei dati: 10 anni
Durabilità: 5000 cicli di programmazione/cancellazione
• Temperatura di funzionamento:
️ Commerciale: da 0°C a +70°C
Industriale (IT): da 40°C a +85°C
• Pacchetto
LGA a 52 cuscinetti
– 48-pin TSOP
BGA a 100 palline
Specificità
Attributo | Valore attributivo |
---|---|
Produttore | Micron Technology Inc. |
Categoria di prodotto | IC di memoria |
Serie | - |
Imballaggio | Imballaggio alternativo sfuso |
Cassa del pacchetto | 100 LBA |
Temperatura di funzionamento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Interfaccia | Parallelamente |
Fornitore di tensione | 2.7 V ~ 3.6 V |
Confezione del dispositivo del fornitore | 100 LBGA (12x18) |
Capacità di memoria | 128G (16G x 8) |
Tipo di memoria | Flash - NAND |
Velocità | - |
Format-memoria | Flash |
Descrizioni
Flash - Memoria NAND IC 128Gb (16G x 8) parallelo 83MHz 100-LBGA (12x18)
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