DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Marca Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Numero di modello DS1345YP-70+
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
Imballaggi particolari sacchetto antistatico e scatola di cartone
Tempi di consegna 3-5 giorni lavorativi
Termini di pagamento T/T
Capacità di alimentazione In magazzino

Contattimi gratis campioni e buoni.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Se avete di preoccupazione, forniamo la guida in linea di 24 ore.

x
Dettagli
Tipo di memoria Non volatile Formato di memoria NVSRAM
Tecnologia NVSRAM (SRAM non volatile) Capacità di memoria 1 MB
Organizzazione di memoria 128K x 8 Interfaccia di memoria Parallelamente
Frequenza di clock - Scriva a ciclo la parola del tempo, pagina 70ns
Tempo di Access 70 NS Voltaggio - Fornitura 4.5V ~ 5.5V
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Confezione / Cassa modulo 34-PowerCap™ Confezione del dispositivo del fornitore Modulo PowerCap 34
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
Part Number Description
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-150+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-150 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-150 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-100IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-150 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-100IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-150 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-100IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-150IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-150+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS3065WP-100IND+ IC NVSRAM 8MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1245WP-100IND+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1250ABP-100+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1350WP-100IND+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1330ABP-70IND+ IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
DS1245ABP-70+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1345WP-100+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1330YP-100+ IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
Lasciate un messaggio
Part Number Description
Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione

Le SRAM DS1345 1024k NV sono 1,048,576 bit, completamente statici, NV SRAM organizzati come 131.072 parole per 8 bit.Ogni SRAM NV è dotata di una fonte di energia al litio autonoma e di un circuito di controllo che monitora costantemente il VCC per verificare una condizione fuori tolleranzaQuando si verifica una tale condizione, la fonte di energia al litio viene attivata automaticamente e la protezione da scrittura è attivata incondizionatamente per prevenire la corruzione dei dati.i dispositivi DS1345 dispongono di circuiti dedicati per il monitoraggio dello stato del VCC e dello stato della batteria interna al litio.

Caratteristiche

■ 10 anni di conservazione minima dei dati in assenza di alimentazione esterna
■ Protezione automatica dei dati in caso di perdita di corrente
■ Il monitor dell'alimentazione ripristina il processore quando si verifica una perdita di potenza VCC e mantiene il processore in ripristino durante il ramp-up VCC
■ Il monitor della batteria controlla la capacità rimanente ogni giorno
■ Tempo di accesso a lettura e scrittura di 70 ns
■ Durata di scrittura illimitata
■ Corrente di standby tipica 50 μA
■ Aggiornamento per 128k x 8 SRAM, EEPROM o Flash
■ La batteria al litio viene disconnessa elettricamente per mantenere la freschezza fino alla prima alimentazione
■ gamma di funzionamento VCC completa ±10% (DS1345Y) o opzionale ±5% (DS1345AB)
■ gamma di temperature industriali opzionali da -40°C a +85°C, denominata IND
■ pacchetto PowerCap Module (PCM)
- Modulo montato direttamente in superficie
- La PowerCap sostitutiva fornisce una batteria di riserva al litio
- Pinout standardizzato per tutti i prodotti SRAM non volatili (NV)
#NOME?

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Maxim integrato
Categoria di prodotto IC di memoria
Serie DS1345Y
Imballaggio Tubo
Stile di montaggio SMD/SMT
Cassa del pacchetto Modulo 34-PowerCap?
Temperatura di funzionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interfaccia Parallelamente
Fornitore di tensione 4.5 V ~ 5.5 V
Confezione del dispositivo del fornitore Modulo PowerCap 34
Capacità di memoria 1M (128K x 8)
Tipo di memoria NVSRAM (non volatile)
Velocità 70 ns
Tempo di accesso 70 ns
Format-memoria RAM
Temperatura massima di funzionamento + 70 C
Intervallo di temperatura di funzionamento 0 C
Corrente di approvvigionamento di esercizio 85 mA
Tipo di interfaccia Parallelamente
Organizzazione 128 k x 8
Parte-#-Alias 90-1345Y+P70 DS1345Y
Ampiezza del bus dati 8 bit
tensione di alimentazione massima 5.5 V
tensione di alimentazione-min 4.5 V
Cassa del pacchetto Modulo PowerCap-34

Descrizioni

NVSRAM (Non Volatile SRAM) Memoria IC 1Mb (128K x 8) Modulo PowerCap parallelo 70ns 34
NVRAM 1024K NV SRAM con batteria