SST38VF6401B-70I/CD IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA Tecnologia dei microchip

Descrizione del prodotto

L'SST38VF166 è costituito da tre banche di memoria, 2 EEPROM in modalità flash di settore da 512K x16 bit ciascuno, più una E2PROM 4K x16 bit modificabile per parole prodotta con il brevetto SST,tecnologia SuperFlash ad alte prestazioni. L'SST38VF166 cancella e programma con un'unica fonte di alimentazione.Il dispositivo è conforme ai standard JEDEC (proposti) per le memorie di parola.

Le caratteristiche:

• Operazioni di lettura e scrittura singole da 2,7 a 3,6 V
• Banche di memoria separate per codice o dati
Capacità di leggere e scrivere contemporaneamente
• Affidabilità superiore
¢ Resistenza:
Banca E2 - 500.000 cicli (tipico)
Flash bank - 100.000 cicli (tipico)
¢ Ritenzione dei dati per più di 100 anni
• Basso consumo energetico
Corrente attiva, lettura: 15 mA (tipico)
Corrente attiva, lettura simultanea mentre si scrive: 40 mA (tipico)
Corrente in standby: 3 μA (tipico)
️ Corrente in modalità auto a bassa potenza: 3 μA (tipico)
• Operazione di scrittura rapida
Flash Bank-Erase + Program: 8 secondi (tipico)
Flash Block-Erase + Program: 500 ms (tipico)
¢ Flash-Sector-Erase + Program: 30 ms (tipico)
E2 bank Word-Write: 9 ms (tipico)
• Sgomberamento, programmazione e scrittura fissi
Rimanere costanti dopo aver fatto la bicicletta
• Tempo di lettura
70 ns
• Indirizzo e dati bloccati
• Detezione della fine della scrittura
️ Toggle Bit
Dati# Sondaggio
• Banca E2:
️ Word-Write (cancellazione automatica prima del programma)
- Sector-Erase (32 parole) + Word-Program (come Flash bank)
• Flash Bank: due piccole dimensioni degli elementi di cancellazione
1 KW per settore o 32 KW per blocco
- Cancellare uno degli elementi prima di Word-Program
• Compatibilità I/O CMOS
• Set di comando standard JEDEC
• Pacchetti disponibili
️ 48 pin TSOP (12 mm x 20 mm)
• Protezione continua dei dati hardware e software (SDP)
• Un settore E2 programmabile una volta sola (OTP)