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HMC516LC5 IC RF AMP GPS 9GHZ-18GHZ 32QFN Analog Devices Inc.

  • HMC516LC5 IC RF AMP GPS 9GHZ-18GHZ 32QFN Analog Devices Inc.
Marca Analog Devices Inc.
Numero di modello HMC516LC5
Quantità di ordine minimo 1
Prezzo Based on current price
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Dettagli
Frequenza 9 GHz ~ 18 GHz P1dB 14dBm
Guadagno 20.5dB Figura di rumore 2dB
Tipo di rf Uso generale Voltaggio - Fornitura 2.5V ~ 3.5V
Corrente - rifornimento 88mA Frequenza della prova -
Tipo di montaggio Montaggio superficiale Confezione / Cassa 32-TFQFN Piazzola esposta
Confezione del dispositivo del fornitore 32-QFN (5x5)
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IC RF

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Modulo di circuito integrato RF

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Modulo di chip IC RF
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Descrizione di prodotto

Dettagli del prodotto

Descrizione generale

L'HMC516LC5 è un amplificatore GaAs PHEMT MMIC Low Noise Amplifier (LNA) ad alta gamma dinamica, ospitato in un pacchetto SMT senza piombo, RoHS.0 dB di rumorosità e ha una potenza di uscita IP3 di +25 dBm. La potenza di uscita P1dB di +13 dBm consente al LNA di funzionare anche come driver LO per i mixers bilanciati, I/Q o di rigetto delle immagini.

Caratteristiche

Figura del rumore: 2,0 dB
Guadagno: 20 dB
OIP3: +25 dBm
Fornitura singola: +3V @ 65 mA
50 Ohm di ingresso/uscita abbinati
Conformità RoHS 5 x 5 mm

Applicazioni tipiche

L'HMC516LC5 è ideale per l'uso come amplificatore LNA o driver per:
• Radio punto a punto
• Radiodiffusioni punto a punto e VSAT
• attrezzature di prova e sensori
• Militare

Specificità

Attributo Valore attributivo
Produttore Hittiti
Categoria di prodotto Chip di circuito integrato
Serie HMC516G
Tipo Amplificatore RF
Imballaggio Imballaggio alternativo a strisce tagliate
Stile di montaggio SMD/SMT
Cassa del pacchetto 32-TFQFN Pad esposto
Frequenza 9 GHz ~ 18 GHz
Tecnologia GaAs
Intervallo di frequenza Da 9 GHz a 18 GHz
Numero di canali 1 canale
Fornitore di tensione 2.5 V ~ 3.5 V
Confezione del dispositivo del fornitore 32 SMT (5x5)
Fornitura di corrente 88 mA
Guadagno 20.5dB
Tipo di amplificatore LNA
Frequenza di prova -
P1dB-Punto di compressione 14 dBm
Figura del rumore 2 dB
Tipo RF Scopo generale
Pd-dissipazione di potenza 1.25 W
Temperatura massima di funzionamento + 85 C
Intervallo di temperatura di funzionamento - 40 C.
tensione di alimentazione di funzionamento 3 V
Corrente di approvvigionamento di esercizio 65 mA
Frequenza di funzionamento 18 GHz
Figura NF-rumore 2 dB
P1dB-Punto di compressione 14 dBm
OIP3-Intercettazione di terzo ordine 25 dBm
Perdita di input-return 10 dB

Descrizioni

Amplificatore RF Single LNA 18GHz 4V 32-Pin CQFN EP T/R
Amplificatore RF lo Amplificatore del rumore SMT 9 - 18 GHz
Etichette:

Microcontroller di superficie del supporto rf

Circuiti integrati di radiofrequenza di Bluetooth

Potere IC di rf multiuso